| 摘要 |
本发明提供一种GaN系之多接面的串叠型太阳能电池，包含：一具有呈相反设置的一第一表面及一第二表面并选自Si或SiC之半导体基板、一形成于该第一表面的磊晶体、一磊制于该磊晶体与该半导体基板之间的AlN成核膜，及分别形成于该磊晶体与该第二表面的一第一接触电极与一第二接触电极。该磊晶体朝向该半导体基板的方向依序具有一短波段吸收膜、一波段调节膜、一长波段吸收膜，及一经掺杂的GaN膜。该短波段吸收膜、该波段调节膜与该长波段吸收膜分别具有一pn接面且分别是In#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N、In#sB!y#eB!Ga#sB!1-y#eB!N与In#sB!z#eB!Ga#sB!1-z#eB!N，其中，x＜z。 |
