发明名称 包含一矽贯通电极之积体电路结构及形成该积体电路结构之方法
摘要 一种包含一矽贯通电极之积体电路及形成该积体电路之方法,包含一基板;一矽贯通电极,系延伸入基板中;一矽贯通电极转接垫,系与矽贯通电极间隔一距离设置;以及一金属线,系位于矽贯通电极上,且与矽贯通电极及一矽贯通电极转接垫电性连接。
申请公布号 TW200919632 申请公布日期 2009.05.01
申请号 TW097109167 申请日期 2008.03.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈志华;陈承先;郭正铮;许国经;卿恺明
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号