发明名称 |
包含一矽贯通电极之积体电路结构及形成该积体电路结构之方法 |
摘要 |
一种包含一矽贯通电极之积体电路及形成该积体电路之方法,包含一基板;一矽贯通电极,系延伸入基板中;一矽贯通电极转接垫,系与矽贯通电极间隔一距离设置;以及一金属线,系位于矽贯通电极上,且与矽贯通电极及一矽贯通电极转接垫电性连接。 |
申请公布号 |
TW200919632 |
申请公布日期 |
2009.05.01 |
申请号 |
TW097109167 |
申请日期 |
2008.03.14 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈志华;陈承先;郭正铮;许国经;卿恺明 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |