发明名称 薄膜开关
摘要
申请公布号 TWM356171 申请公布日期 2009.05.01
申请号 TW097222600 申请日期 2008.12.17
申请人 达方电子股份有限公司 DARFON ELECTRONICS CORP. 桃园县龟山乡自强北路17巷31号 发明人 张贤灿
分类号 G06F3/02 (2006.01) 主分类号 G06F3/02 (2006.01)
代理机构 代理人 刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼;谢金原 台北市信义区松德路171号2楼
主权项 1.一种薄膜开关,包含:一下薄膜,该下薄膜之顶面设有至少一下导电体;一上薄膜,该上薄膜系设置于该下薄膜之上方且与该下薄膜之间具有一定间距,该上薄膜之底面设有至少一上导电体,该上导电体系对应于该下导电体之位置,且该上导电体与该下导电体之间具有一定间距;至少一凸出结构,该凸出结构系设置于该上薄膜之顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度,该凸出结构之位置系对应于该上导电体;当按压该凸出结构时,可压迫该上薄膜下沉,使该上导电体与该下导电体接触而形成电性导通。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜开关,其中该下薄膜与该上薄膜之间设有至少一绝缘薄膜,该绝缘薄膜相对应于该上导电体及下导电体之位置设有透空部,用以提供该上导电体与该下导电体可透过该透空部接触而形成电性导通。3.如申请专利范围第2项所述之薄膜开关,其中该凸出结构凸出于该上薄膜顶面之高度,系大于该绝缘薄膜之厚度。4.如申请专利范围第2项所述之薄膜开关,其中该绝缘薄膜与该上导电体及下导电体之间均具有一定间距。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜开关,其中该凸出结构系以印刷方式成型于该上薄膜之顶面。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜开关,其中该凸出结构系以黏贴方式成型于该上薄膜之顶面。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜开关,其中该凸出结构所占面积不大于该上导电体所占面积。8.如申请专利范围第1项所述之薄膜开关,其中该下薄膜及该上薄膜设有电路,当按压该凸出结构使该上导电体与该下导电体接触而形成电性导过时,可同时电性导通该电路。9.一种薄膜开关按键,包含:一薄膜开关,该薄膜开关包括:一下薄膜,该下薄膜之顶面设有至少一下导电体;一上薄膜,该上薄膜系设置于该下薄膜之上方且与该下薄膜之间具有一定间距,该上薄膜之底面设有至少一上导电体,该上导电体系对应于该下导电体之位置,且该上导电体与该下导电体之间具有一定间距;至少一凸出结构,该凸出结构系设置于该上薄膜之顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度,该凸出结构之位置系对应于该上导电体;一按键,该按键系设置于该薄膜开关上方,且对应于该凸出结构设置处;当按压该按键时,该按键可触压该凸出结构,并同时压迫该上薄膜下沉,使该上导电体与该下导电体接触而形成电性导通。10.如申请专利范围第9项所述之薄膜开关按键,其中该下薄膜与该上薄膜之间设有至少一绝缘薄膜,该绝缘薄膜相对应于该上导电体及下导电体之位置设有透空部,用以提供该上导电体与该下导电体可透过该透空部接触而形成电性导通。11.如申请专利范围第10项所述之薄膜开关按键,其中该凸出结构凸出于该上薄膜顶面之高度,系大于该绝缘薄膜之厚度。12.如申请专利范围第10项所述之薄膜开关按键,其中该绝缘薄膜与该上导电体及下导电体之间均具有一定间距。13.如申请专利范围第9项所述之薄膜开关按键,其中该凸出结构系以印刷方式成型于该上薄膜之顶面。14.如申请专利范围第9项所述之薄膜开关按键,其中该凸出结构系以黏贴方式成型于该上薄膜之顶面。15.如申请专利范围第9项所述之薄膜开关按键,其中该凸出结构所占面积不大于该上导电体所占面积。16.如申请专利范围第9项所述之薄膜开关按键,其中该下薄膜及该上薄膜设有电路,当按压该凸出结构使该上导电体与该下导电体接触而形成电性导通时,可同时电性导通该电路。图式简单说明:第一图系习知薄膜开关配合薄膜式按键之剖面结构示意图。第二图系按压第一图习知薄膜式按键之剖面结构示意图。第三图系本创作之薄膜开关配合薄膜式按键之剖面结构示意图。第四图及第五图系按压第三图薄膜式按键之剖面结构示意图。
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