发明名称 层积构造及其之制造方法
摘要 〔课题〕本发明提供一种层积构造及其之制造方法,其不增加氧化物透明导电膜和Al合金膜之间的接触电阻,直接连接Al合金,布线电阻变小,在显影液等电解质液中不易发生电池腐蚀(galvanic corrosion)。〔解决手段〕由氧化物透明导电膜和Al合金膜直接连接而成的制造层积构造的方法中,具备有:在基板上形成前述氧化物透明导电膜的第1工程、在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第2工程、在由铝和前述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上,对前述Al合金膜进行加热的第3工程。
申请公布号 TW200919045 申请公布日期 2009.05.01
申请号 TW097122556 申请日期 2008.06.17
申请人 神户制钢所股份有限公司 发明人 后藤裕史;越智元隆;武富雄一;川上信之
分类号 G02F1/1343(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 G02F1/1343(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本