| 摘要 |
本发明提供一种GaN系光电半导体之高效能太阳能电池，包含：一具有呈相反设置的一第一表面及一第二表面之矽基板、一形成于该矽基板之第一表面的磊晶膜、一夹置于该磊晶膜与该矽基板之间并磊制于该矽基板的AlN成核膜，及分别形成于该磊晶膜与该矽基板之第二表面的一第一接触电极与一第二接触电极。该磊晶膜具有一第一型In#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层、一夹置于该第一型In#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层与该第一表面之间的第二型In#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层，及一夹置于该第二型In#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层与该第一表面之间的第二型GaN层，其中，0.2＜x＜0.5。 |
