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L'invention concerne un procédé de réalisation d'une couche mince en matériau semi-conducteur organique (MSCO) moléculaire destinée à être intégrée dans un dispositif pour des applications en électronique, optique ou optoélectronique, comprenant les étapes suivantes :(c) fournir une quantité déterminée du MSCO moléculaire sous forme d'un fondu à la surface d'un support de sorte à former une couche mince ;(d) refroidir selon un profil de température déterminé pour provoquer une solidification de la couche mince ;caractérisé en ce que la température de la surface du support est supérieure ou égale au point de fusion du MSCO moléculaire au moment de mettre en oeuvre l'étape (a), et en ce que le profil de température de l'étape (b) comprend :- une première partie correspondant à un refroidissement contrôlé et suffisamment lent du MSCO moléculaire jusqu'à une température voisine de la température de cristallisation du MSCO moléculaire pour ne faire apparaître qu'un seul germe dans la couche mince sous forme fondue; et- une deuxième partie correspondant à un refroidissement contrôlé de sorte qu'au moins un domaine monocristallin croisse à partir de ce germe, la couche mince finalement obtenue étant monocristallineL'invention concerne en outre un procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ organique.
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