发明名称 绕射光栅型发光二极体
摘要 提供一种绕射光栅型发光二极体,在以2维周期性的方式形成空孔时,能适当设定其周期,以谋求达成外部量子效率的提升。在蓝宝石基板10之上积层n型GaN层12、InGaN层/GaN活性层14、p型GaN层16、透明电极层18,以构成发光二极体。于透明电极层18、p型GaN层16、InGaN/GaN活性层14、及n型GaN层12,以2维周期性的方式形成复数个延伸于与其等各层大致垂直之方向的空孔24。设非发光再结合速度为v#sB!s#eB!,则空孔24的配置周期a满足下式:#P 097132339P01.bmp
申请公布号 TW200919788 申请公布日期 2009.05.01
申请号 TW097132339 申请日期 2008.08.25
申请人 阿尔普士电气股份有限公司 发明人 野田进;浅野卓;富士田诚之;北川均;须藤俊英
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 日本