ＣＶＤ制程气流之泵送及／或增加

摘要

本发明大致上包含一种用于一制程之辅助泵送、气体馈入与/或RF电流的方法与设备。当沉积非晶矽时之制程气体量、RF电流和真空可以小于需要用来沉积微晶矽之制程气体量、RF电流和真空。当使用单一腔室来沉积非晶矽与微晶矽两者时，将一辅助功率供应器、一辅助气体源和一辅助真空泵耦接至腔室是有利的。辅助的功率供应器、真空泵和气体源可以在沉积微晶矽时与腔室耦接，并且在沉积非晶矽时去耦接。在一丛集工具配置中，辅助的功率供应器、真空泵和气体源可以用于多个腔室，其中各腔室系皆沉积非晶矽与微晶矽。