发明名称 ALGAINN-BASED LASERS PRODUCED USING ETCHED FACET TECHNOLOGY
摘要 <p>A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500 °C and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.</p>
申请公布号 WO2007002024(A3) 申请公布日期 2009.04.30
申请号 WO2006US23889 申请日期 2006.06.20
申请人 BINOPTICS CORPORATION 发明人 BEHFAR, ALEX, A.;SCHREMER, ALFRED, T.;STAGARESCU, CRISTIAN, B.;(NLN), VAINATEYA (NMI)
分类号 H01S5/02;C30B25/04;H01L21/00;H01L33/00 主分类号 H01S5/02
代理机构 代理人
主权项
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