发明名称 |
METHOD OF TREATING A SURFACE OF AT LEAST ONE PART BY MEANS OF INDIVIDUAL SOURCES OF AN ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMA |
摘要 |
Ce procédé consiste à soumettre la ou les pièces (1) à au moins un mouvement de révolution par rapport à au moins une rangée linéaire fixe de sources élémentaires (2), la ou lesdites rangées linéaires de sources élémentaires (2) étant disposée(s) d'une manière parallèle à l'axe ou aux axes de révolution de la ou des pièce(s).
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申请公布号 |
CA2700575(A1) |
申请公布日期 |
2009.04.30 |
申请号 |
CA20082700575 |
申请日期 |
2008.10.09 |
申请人 |
H.E.F. |
发明人 |
SCHMIDT, BEAT;HEAU, CHRISTOPHE;MAURIN-PERRIER, PHILIPPE |
分类号 |
H01J37/32;H05H1/46 |
主分类号 |
H01J37/32 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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