| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供可以防止在半导体器件的引线的表面形成的镀膜上发生的晶须的技术。特别提供在以锡为主材料且不含有铅的镀膜中可以防止发生晶须的技术。在形成于引线表面上的镀膜中，以构成镀膜的锡的面方位中的、特定的面方位与引线的表面平行的方式形成镀膜。具体而言，以锡的(001)面与与引线的表面平行的方式构成镀膜。由此，可以使构成镀膜的锡的线膨胀系数小于构成引线的铜的线膨胀系数。 | ||
| 申请公布号 | CN101419958A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200810169088.4 | 申请日期 | 2008.10.20 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 大仓康孝;岩崎富生;寺崎健 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 金春实 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，具备：(a)半导体芯片；(b)多个引线，与上述半导体芯片电连接，并以铜为主材料；(c)镀膜，形成在上述多个引线的每一个的表面上，该镀膜以锡为主材料且不含有铅；以及(d)密封体，密封上述半导体芯片，其中，上述多个引线的每一个的一部分从上述密封体露出，该半导体器件的特征在于，上述镀膜的面内方向的线膨胀系数小于上述铜的线膨胀系数。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||