集成电路制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路制造方法，在上部结构层(86)的表面涂布平滑化膜(140)，平滑地覆盖开口部分(116)的开口端的拐角部分(142)。对平滑化膜(140)进行蚀刻，通过该蚀刻处理削除在平滑化膜(140)的膜厚较薄的开口端露出的拐角部分(142)。由此，扩大开口部分(116)的开口端。剥离平滑化膜(140)后，涂布聚酰亚胺膜。通过开口端的扩大，能够防止聚酰亚胺膜较厚地积存在开口部分(116)内，从而可容易地从开口部分(116)除去。由此，在半导体基板上层叠的上部结构层设置光入射用的开口部分的光检测器的制造中，从开口部分适当地除去为了保护上部结构层的上面的氮化硅膜所涂布的聚酰亚胺膜，例如实现开口部分内的入射光量的均匀化。

主权项

1、一种集成电路制造方法，具有：开口部分形成工序，对在基板上层叠的上部结构层进行蚀刻而形成开口部分；平滑化膜堆积工序，在上述上部结构层的表面，堆积在上述开口部分的开口端的拐角部分上厚度变薄的平滑化膜；开口端扩大工序，实施均可对上述平滑化膜和上述上部结构层进行侵蚀的蚀刻处理，除去从该平滑化膜露出的上述拐角部分，扩大上述开口端；平滑化膜剥离工序，剥离在上述开口端扩大工序中由上述蚀刻处理残存的上述平滑化膜；表面被覆工序，在上述平滑化膜剥离工序后对上述上部结构层的表面涂布表面被覆膜；蚀刻掩模形成工序，在上述表面被覆膜上形成蚀刻掩模；和表面被覆膜蚀刻工序，采用上述蚀刻掩模，对上述表面被覆膜进行蚀刻且将其从上述开口部分除去。