沟槽式功率半导体装置及其制作方法

摘要

本发明涉及一种沟槽式功率半导体装置及其制作方法，该装置包含：基板；沟槽结构，形成于基板中；栅极氧化层，形成于沟槽结构的内壁面；栅极，形成于沟槽结构内部且突出于沟槽结构的表面；侧壁结构，形成于突出沟槽结构表面的栅极的侧边；第一导电层，至少形成于栅极表面；以及源极结构，形成于基板内且邻近栅极氧化层。本发明克服了公知沟槽式功率半导体装置的硅化钛层会造成栅极氧化层的隔离功能不佳，而使得提供给栅极的电压直接传导到源极结构，进而造成栅极与源极结构之间短路等缺点。

主权项

1. 一种沟槽式功率半导体装置的制作方法，至少包含步骤：(a)提供一基板，在该基板上形成第一介电层，并去除部分该第一介电层和部分该基板，以形成沟槽结构；(b)在该沟槽结构的内壁面形成一栅极氧化层；(c)沉积一多晶硅层以覆盖该沟槽结构，去除部分该多晶硅层，以在该沟槽结构中形成栅极；(d)去除该第一介电层，使该栅极部分突出于该沟槽结构的表面，并在该基板中形成一本体结构；(e)在该本体结构与该栅极氧化层之间形成一源极；(f)在该栅极和该基板上形成一绝缘层；(g)去除部分该绝缘层，以在突出于该沟槽结构的该栅极侧边形成侧壁结构，并暴露部分该源极和部分该基板；(h)在该栅极表面和该源极与该基板的暴露部分形成第一导电层；(i)在该第一导电层和该侧壁结构上形成第二介电层；(j)去除部分该第二介电层、部分该第一导电层和部分该源极，以限定一源极结构，并形成一导接区域；(k)在该导接区域和该第二介电层上形成第二导电层；以及(1)在该第二导电层上形成一导接金属层。