| 发明名称 | 导电氧化物电极材料制备方法 | ||
| 摘要 | 导电氧化物电极材料及其制备方法，属微电子材料领域，特别涉及导电氧化物电极材料及其制备方法。本发明提供一种可应用于铁电微波器件的底电极材料，特别是在氧化镁衬底上的双晶外延导电氧化物镍酸镧薄膜的制备方法。本发明提供的导电氧化物电极材料，微观结构为双晶外延结构。本发明的有益效果是，本发明的电极材料，特别是导电氧化物镍酸镧薄膜具有很好的表面平整度、较小的晶粒尺寸以及较低的电阻率，可完全满足作为铁电材料在MgO(100)基片上集成的电极材料的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN100483700C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200510021161.X | 申请日期 | 2005.06.27 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 朱俊;郑亮;李言荣;张鹰 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都虹桥专利事务所 | 代理人 | 刘 勋 |
| 主权项 | 1、导电氧化物电极材料的制备方法，包括以下步骤：1)将氧化镁基片和靶材置于氧气氛环境；2)加热氧化镁基片；3)用激光剥离靶材，产生的等离子体沉积在氧化镁基片上，得到电极材料薄膜。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路一段4号 | ||