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发明名称 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND EPITAXIAL SUBSTRATE
摘要
申请公布号 EP1863075(A4) 申请公布日期 2009.04.29
申请号 EP20060715282 申请日期 2006.03.06
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 TANABE, TATSUYA;MIURA, KOUHEI;KIYAMA, MAKOTO;SAKURADA, TAKASHI
分类号 H01L29/778;H01L21/20;H01L29/20 主分类号 H01L29/778
代理机构 代理人
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