| 发明名称 | 得到具有优良抗蚀刻性的低k电介质阻挡层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一般提供一种形成电介质阻挡层的方法，该电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能。一个实施例提供一种处理半导体衬底的方法，该方法包括将前驱物供给处理室，其中前驱物包括硅-碳键和碳-碳键，在处理室中产生前驱物的低密度等离子体，以在半导体衬底上形成具有碳-碳键的电介质阻挡膜，其中前驱物中至少部分碳-碳键保持在低密度等离子体中并且混入电介质阻挡膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101419915A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200810169676.8 | 申请日期 | 2008.10.09 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 许惠雯;刘宜君;夏立群;德里克·R·维迪;伊沙姆·迈’萨德 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;C23C16/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1、一种处理半导体衬底的方法，包括：将前驱物流入处理室，其中所述前驱物包括硅-碳键和碳-碳键；以及在所述处理室中产生所述前驱物的低密度等离子体，以在所述半导体衬底上形成具有碳-碳键的电介质阻挡膜，其中所述前驱物中至少部分碳-碳键保持在所述低密度等离子体中并且混入所述电介质阻挡膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||