| 发明名称 | 自我接合磊晶的方法 | ||
| 摘要 | 一种自我接合磊晶的方法，是在半导体发光元件的基板表面形成钝化层，并蚀刻出形成凹部及上方具有该钝化层的凸部，然后于凹部的底面开始磊晶，该磊晶层会先填满这些凹部，然后再覆盖这些凸部并且开始自我接合向上磊晶完成该磊晶层结构。通过自我接合磊晶成长技术可以避免磊晶参数误差所导致孔洞的产生，降低缺陷密度，提高磊晶层的质量，进而提升内部量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101420001A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200710167304.7 | 申请日期 | 2007.10.22 |
| 申请人 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 刘育全 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1. 一种自我接合磊晶的方法，是在半导体发光元件的一基板(100)表面形成多个使光散射或绕射的凹部(110)及凸部(120)的结构后的磊晶方法，其特征在于：在所述基板(100)表面形成一钝化层(200)，并定义出形成多个凹部(110)的蚀刻区域；对所述基板(100)进行蚀刻，在所述蚀刻区域蚀刻出多个具有自然晶格的斜面(150)与底面(130)的所述凹部(110)，以及上方为平面(140)且具有所述钝化层(200)的所述凸部(120)；以及在所述凹部(110)的所述底面(130)开始磊晶一磊晶层(300)，其中所述磊晶层(300)会先填满所述多个凹部(110)，然后再覆盖所述多个凸部(120)并且开始自我接合向上磊晶完成所述磊晶层(300)结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾南投县 | ||