发明名称 |
一种碳纳米管制备装置及方法 |
摘要 |
本发明提供一种碳纳米管制备装置,其包括:一反应腔;一基底承载装置,其位于反应腔内,用于承载碳纳米管生长用基底;一升降装置,用于在碳纳米管生长过程中移动所述基底承载装置。本发明还提供一种利用上述装置制备碳纳米管的方法。本发明通过设置一升降装置,在碳纳米管生长过程中使碳纳米管生长尖端保持在一预定区域内,以防止碳纳米管停止生长,其可实现超长碳纳米管的制备。 |
申请公布号 |
CN100482580C |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200510100386.4 |
申请日期 |
2005.10.13 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
萧博元 |
分类号 |
C01B31/00(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1. 一种碳纳米管制备装置,其包括:一反应腔;一基底承载装置,其位于反应腔内,用于承载碳纳米管生长用基底,其特征在于,该碳纳米管制备装置进一步包括一升降装置,用于在碳纳米管生长过程中移动所述基底承载装置。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |