| 发明名称 | 光发射元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明，一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说，含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层；硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料；或硅或二氧化硅，光传送导电氧化物材料，以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100483783C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200410076968.9 | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 坂田淳一郎;村上雅一;森谷幸司;及川欣聪;浅见勇臣;大谷久 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 项 丹 |
| 主权项 | 1. 一种光发射元件包括：包括光传送导电氧化物材料和硅或二氧化硅的空穴注入电极；空穴传输层；和设置在空穴注入电极和空穴传输层之间的壁垒层，其中所述壁垒层包括光传送导电氧化物材料和二氧化硅，并且其中在所述壁垒层中的二氧化硅的浓度比在所述空穴注入电极中的二氧化硅的浓度要高。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||