| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硬掩膜层并图案化所述硬掩膜层；刻蚀所述多晶硅层至所述电介质层表面形成栅极；在具有所述栅极的衬底上形成介质层；所述介质层覆盖所述栅极侧壁、电介质层和硬掩膜层表面；去除位于所述电介质层和硬掩膜层表面的所述介质层；利用磷酸去除所述硬掩膜层；以及栅极侧壁表面的介质层。本发明在所述栅极的侧壁形成侧壁保护层，该保护层起到了隔离腐蚀液与栅极的作用，从而避免了瓶颈现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN100483633C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200610030627.7 | 申请日期 | 2006.08.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘乒;张海洋;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硬掩膜层并图案化所述硬掩膜层；刻蚀所述多晶硅层至所述电介质层表面形成栅极；在所述栅极侧壁形成侧壁保护层，所述侧壁保护层的最小厚度等于或稍大于所述硬掩膜层的厚度；去除所述硬掩膜层，所述形成侧壁保护层的步骤包括：在具有所述栅极的衬底上形成介质层；所述介质层覆盖所述栅极侧壁、电介质层和硬掩膜层表面；去除位于所述电介质层和硬掩膜层表面的所述介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||