发明名称 |
围堰的形成方法、膜图案的形成方法、装置以及电子机器 |
摘要 |
本发明提供一种消除了围堰的疏液化处理所引起的不良情况的围堰形成方法、膜图案的形成方法、半导体装置的制造方法、电光学装置以及电子机器。是一种区划功能液所构成的膜图案的形成区域的围堰的形成方法。具有:在基板(P)上涂布抗蚀液并干燥,形成由抗蚀剂所构成的围堰膜(31)的工序;在围堰膜(31)中进行使用疏液化处理气体与等离子的疏液化处理的工序;对疏液化处理后的围堰膜(31),使用掩模M有选择地照射紫外线,降低疏液性的工序;对疏液化处理后的围堰膜(31),使用掩模M有选择地进行曝光的工序;以及在疏液性降低工序与曝光工序之后,显影围堰膜(31)并形成图案,形成围堰的工序。降低疏液性的工序与曝光工序,使用相同的掩模M连续或同时进行。 |
申请公布号 |
CN100483638C |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200610082674.6 |
申请日期 |
2006.05.12 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
守屋克之;平井利充 |
分类号 |
H01L21/288(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/288(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1. 一种围堰的形成方法,区划功能液所构成的膜图案的形成区域,具备下述工序:在基板上涂布抗蚀液并进行干燥,而形成由抗蚀剂所构成的围堰膜的工序;在所述围堰膜上进行使用疏液化处理气体与等离子的疏液化处理的工序;对所述疏液化处理后的围堰膜,使用掩模有选择地照射紫外线,降低疏液性的工序;对所述疏液化处理后的围堰膜,使用掩模有选择地进行曝光的工序;以及在所述降低疏液性的工序与曝光工序之后,对所述围堰膜进行显影并形成图案,而形成围堰的工序,其中,所述降低疏液性的工序与曝光工序,使用相同的掩模连续或同时进行。 |
地址 |
日本东京 |