发明名称 |
微晶半导体膜,薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的显示设备 |
摘要 |
一种具有极好的电特性的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括在栅极上形成的栅绝缘膜;在栅绝缘膜上形成的包括作为施主的杂质元素的微晶半导体膜;在微晶半导体膜上形成的缓冲层;在缓冲层上形成的添加了赋予一种传导类型的杂质元素的一对半导体膜;和在该对半导体膜上形成的布线。微晶半导体膜中的作为施主的杂质元素的浓度从栅绝缘膜侧向着缓冲层下降,并且缓冲层不包括浓度高于SIMS的检出限的作为施主的杂质元素。 |
申请公布号 |
CN101419980A |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200810171375.9 |
申请日期 |
2008.10.23 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;神保安弘 |
分类号 |
H01L29/36(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/36(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
秦 晨 |
主权项 |
1. 一种在绝缘膜上形成的并且包括作为施主的杂质元素的微晶半导体膜,其中杂质元素的浓度从绝缘膜侧向着微晶半导体膜的上表面下降。 |
地址 |
日本神奈川 |