发明名称 用于制造半导体器件的装置及其方法
摘要 本发明公开一种用于制造半导体器件的装置及其方法,该方法包括以下步骤:制备用于发射光的光源系统;然后制备具有图案的标线片;然后在包括所述图案的所述标线片上方间隔放置框架;然后在所述框架和所述标线片之间的空隙间隔中形成透明物;然后制备在其上具有光敏层的半导体晶片;然后利用所述光源系统将光透射穿过所述标线片和所述透明物,以根据所述图案曝光所述光敏层;然后通过根据所述图案处理所述半导体晶片,来形成所述半导体器件。本发明的方法通过用高纯度透明物质填充标线片和框架之间的空隙间隔的方式,能减小由标线片所衍射的光的角度,从而最大化半导体晶片上和/或上方的实际分辨率。
申请公布号 CN101419910A 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN200810170982.3 申请日期 2008.10.21
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 李东灿
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 郑小军;冯志云
主权项 1、一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:制备用于发射光的光源系统;然后制备具有图案的标线片;然后在包括所述图案的所述标线片的上方相间隔地放置框架;然后在所述框架和所述标线片之间的间隔中形成透明物质;然后制备在其上具有光敏层的半导体晶片;然后利用所述光源系统将光透射穿过所述标线片和所述透明物质,以根据所述图案曝光所述光敏层;然后根据所述图案处理所述半导体晶片,以形成所述半导体器件。
地址 韩国首尔