发明名称 图像传感器及其制造方法
摘要 一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括:在半导体衬底中形成的光电二极管;在半导体衬底上方形成的第一绝缘层,该第一绝缘层包括在空间上与光电二极管的位置相对应的籽晶图样;在籽晶图样上方形成的由有机材料组成的下部微透镜;在下部微透镜上方形成的第二绝缘层;在第二绝缘层上方形成的第三绝缘层;在第三绝缘层上方形成的滤色器;以及在滤色器上方形成的上部微透镜。
申请公布号 CN101419975A 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN200810170554.0 申请日期 2008.10.21
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 朴珍皞
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 李丙林;张 英
主权项 1. 一种图像传感器,包括:光电二极管,形成在半导体衬底中;第一绝缘层,形成在所述半导体衬底上方,所述第一绝缘层包括在空间上与所述光电二极管的位置相对应的籽晶图样;下部微透镜,由有机材料组成并形成在所述籽晶图样上方;第二绝缘层,形成在所述下部微透镜上方;第三绝缘层,形成在所述第二绝缘层上方;滤色器,形成在所述第三绝缘层上方;以及上部微透镜,形成在所述滤色器上方。
地址 韩国首尔