发明名称 测量材料层厚度的方法和装置
摘要 本发明描述了一种通过微波传感器(13)测量第一材料层的厚度的方法,所述方法包括:通过微波传感器(13)获得第一材料层的至少一个频率响应;为不同温度值(Tamb,T1,T2,T3)下的第二材料样本设置(30)微波传感器(13),以获得参考数据(CD,X,Y,S);利用参考数据(CD,X,Y,S),作为第一材料电导率的函数来校准(31)微波传感器(13);通过温度传感器(14)测量(32)第一材料层的温度(Tm);根据频率响应确定(33)测量参数(F1_m,F2_m,Amin_m);以及利用测量参数(F1_m,F2_m,Amin_m)来处理(33)参考数据(CD,X,Y,S)以获得第一材料层的厚度的测量值(Sm)。
申请公布号 CN101421583A 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN200680053923.7 申请日期 2006.11.06
申请人 S.A.朱塞佩克里斯蒂尼有限公司 发明人 乔维尼·克里斯蒂尼
分类号 G01B15/02(2006.01)I 主分类号 G01B15/02(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 郑小粤
主权项 1. 一种测量第一材料层的厚度的方法,该方法包括步骤:通过微波传感器(13)获得所述第一材料层的至少一个频率响应,并且其特征在于,还包括以下步骤:在不同温度值(Tamb,T1,T2,T3)下,为多个第二材料样本设置(30)所述微波传感器(13),以便获得参考数据(CD,X,Y,S);利用所述参考数据(CD,X,Y,S)将所述微波传感器(13)作为所述第一材料的导电率的函数进行校准(31);通过温度传感器(14)测量(32)所述第一材料层的温度(Tm);根据所述频率响应确定(33)所述第一材料层的测量参数(F1_m,F2_m,Amin_m);以及利用所述测量参数(F1_m,F2_m,Amin_m)和所测得的温度(Tm)来处理(34)所述参考数据(CD,X,Y,S),以获得所述第一材料层的所述厚度的测量值(Sm)。
地址 意大利米兰