氮化硅湿法腐蚀方法

摘要

本发明是关于一种氮化硅湿法腐蚀方法，包括：A.提供一氮化硅层，并通过光刻法在该氮化硅层上形成具有一次图形的光刻胶层；B.采用电子束蒸发方法蒸发铬金属形成金属铬层；C.剥离上述的光刻胶层，在氮化硅层上形成具有二次图形的金属铬掩蔽层；D.进行湿法腐蚀氮化硅层形成三次图形；以及E.去除金属铬掩蔽层，得到图形化的氮化硅薄膜。本发明解决了选择性湿法腐蚀氮化硅中，光阻在腐蚀液中被氧化，无法起到刻蚀掩蔽作用的问题。同时解决了原位沉积氧化硅薄膜，无法对指定区域进行湿法腐蚀的问题。本方法，大大简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率。

主权项

1、一种氮化硅湿法腐蚀方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：A、提供一氮化硅层，并通过光刻法在该氮化硅层上形成具有一次图形的光刻胶层；B、采用电子束蒸发方法蒸发铬金属形成金属铬层；C、剥离上述的光刻胶层，在氮化硅层上形成具有二次图形的金属铬掩蔽层；D、进行湿法腐蚀氮化硅层形成三次图形；以及E、去除金属铬掩蔽层，得到图形化的氮化硅薄膜。