氮化镓基半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种III-V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。

主权项

1. 一种III-V族GaN基半导体器件，包括：一n型GaN基化合物半导体层；一包括设置在所述n型GaN基化合物半导体层上的交替叠置的量子阱和势垒层的有源层；一设置在所述有源层上的Al GaN扩散阻挡层；一形成于所述Al GaN扩散阻挡层上的InGaN牺牲层；以及一设置在所述InGaN牺牲层上的p型GaN基化合物半导体层，其中每个所述n型GaN基化合物半导体层和p型GaN基化合物半导体层分别还包括n型波导层和p型波导层，其中在与所述有源层的生长温度相同的温度下，所述扩散阻挡层的生长和所述牺牲层的生长在所述有源层的生长之后立即进行。