发明名称 制造单片多层执行器的方法以及由压电陶瓷或电致伸缩材料制成的单片多层执行器
摘要 本发明涉及一种制造单片多层执行器的方法,相应的单片多层执行器,及用于单片多层执行器的外部电触点。根据本发明,沿着执行器的层叠结构的纵轴,基本上平行于内部电极且与内部电极相隔一段距离,在至少两个相对设置的外表面的区域内,在执行器结构中有目的地加入轻微干扰,已知的内部电极伸向所述外表面区域。最早在执行器的极化时,所述轻微干扰在内部和/或向着外部电极形成了一个预先给定的、受限的缓解应力的开裂增长,其中至少在执行器结构中的轻微干扰的区域内抗拉伸或有弹性地形成基础金属化层和/或外部触点。
申请公布号 CN100483766C 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN03813218.4 申请日期 2003.05.14
申请人 PI陶瓷技术及元件有限公司 发明人 阿斯特里德·海因茨曼;埃伯哈德·亨尼希;丹尼尔·科普施;帕特里克·佩尔奇;斯特凡·里希特;艾克·韦斯多费尔
分类号 H01L41/24(2006.01)I;H01L41/083(2006.01)I;H01L41/047(2006.01)I 主分类号 H01L41/24(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李 勇
主权项 1. 制造由压电陶瓷或电致伸缩材料构成的单片多层执行器的方法,其中所述执行器通过对原薄膜进行烧结以多个压电板的机械串接结构的形式被构造成层叠式结构,在板状层叠结构中设置的内部电极被引出到相对设置的层叠结构的外表面上,并在所述外表面处借助于各电极组的基础金属化层及外部触点并联连接,其特征在于,在执行器结构中在至少两个相对设置的外表面的区域内有目的地引入轻微干扰,所述轻微干扰沿着层叠结构的纵轴基本上平行于内部电极并与内部电极相隔一段距离地被引入,所述内部电极引向所述外表面区域,所述轻微干扰最早在执行器的极化时在执行器内部形成预先给定的受限的缓解应力的开裂增长,此外至少在轻微干扰的区域内,在执行器结构中抗拉伸或有弹性地形成所述基础金属化层和/或外部触点。
地址 德国莱德霍瑟