| 发明名称 | 一种制作低介电常数层的新方法及其应用 | ||
| 摘要 | 一种制作低介电常数层的方法，在含有低介电常数层的集成电路制造过程中，用硅材料代替结构中低介电常数层，制作完所有结构后，对需要有低介电常数区域的硅材料进行离子注入并进行退火工艺产生小空腔，降低上述区域的电介质常数。 | ||
| 申请公布号 | CN100483643C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200610028920.X | 申请日期 | 2006.07.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 吴汉明 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李 勇 |
| 主权项 | 1. 一种制作低介电常数层的方法，在含有低介电常数层的集成电路制造过程中，用硅材料代替结构中低介电常数层，制作完所有结构后，对需要做成低介电常数区域的硅材料进行离子注入并进行退火工艺以产生小空腔，降低上述区域的电介质常数，所述离子注入使用的惰性气体是氦，其特征在于，注入温度为293K～500K，注入的氦离子剂量为1015～1017cm-2，进行氦离子离子注入的能量为20keV～200keV，退火温度为700K～1300K。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||