发明名称 |
掩模成膜方法,掩模 |
摘要 |
提供一种能够防止并抑制掩模中的弯曲的产生,而且能够容易地进行高精度的蒸镀等掩模成膜的成膜方法。本发明的成膜方法是通过掩模(1)在被成膜基板(4)上形成膜图案的成膜方法,其特征在于,从成膜材料的供给源(12)侧依次配设有上述掩模(1)、上述被成膜基板(4)、和与该被成膜基板(4)的接面平坦的第(1)部件(5),并将上述掩模(1)和上述第(1)部件(4)边磁力吸引边进行掩模成膜。 |
申请公布号 |
CN100482851C |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200510137864.9 |
申请日期 |
2005.12.29 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
四谷真一;小枝周史;桑原贵之;池原忠好 |
分类号 |
C23C14/24(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/24(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1、一种掩模成膜方法,通过掩模在被成膜基板上形成膜图案,其特征在于,上述掩模具有:具有开口部的基础基板、和形成在该基础基板上并具有开口图案的单晶硅基板,上述基础基板和上述单晶硅基板相互对位使得上述开口图案位于上述开口部内,在上述基础基板的非开口部埋入强磁性体,从成膜材料的供给源侧依次配设上述掩模、上述被成膜基板、和与该被成膜基板的接面为平坦的夹盘,在与所述夹盘的所述被成膜基板对置的面相反的面侧,设置了被附设永久磁石的磁石平板,通过所述掩模的所述基础基板上具备的所述强磁性体和所述磁石平板上具备的所述永久磁石之间的吸引力,一边将上述掩模吸引到上述夹盘,一边在所述被成膜基板上进行成膜。 |
地址 |
日本东京 |