| 发明名称 | 电子零件、介电陶瓷组合物及其生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，其具有主成分原料和副成分原料的烧结步骤，烧结前的上述主成分原料使用由ABO<sub>3</sub>表示的钙钛矿型结晶构造的钛酸钡原料粉末，其A位点成分和B位点成分的摩尔比A/B为1.006≤A/B≤1.035，比表面积为8～50m<sup>2</sup>/g。根据本发明，能提供一种由微细颗粒构成的、即使在电容器薄层化的情况下仍具有良好的电特性和温度特性的介电陶瓷组合物。 | ||
| 申请公布号 | CN100483579C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200410103803.6 | 申请日期 | 2004.11.19 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 梅田裕二;佐藤阳 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭 煜;庞立志 |
| 主权项 | 1、一种介电陶瓷组合物的制造方法，其特征在于包含焙烧含有主成分原料和副成分原料的介电体原料的步骤，其中上述副成分原料含有Mg的氧化物和/或在焙烧后变为这类氧化物的化合物以及Mn和Cr中至少一种的氧化物和/或在焙烧后变为这类氧化物的化合物，其含量相对于100摩尔主成分原料，换算成MgO、MnO、Cr2O3分别为：MgO：0. 1～3摩尔，MnO+Cr2O3：0～0.25摩尔，但不包括0，焙烧前的上述主成分原料使用由ABO3表示的钙钛矿型结晶构造的钛酸钡原料粉末，其A位置成分与B位置成分的摩尔比A/B为1.006≤A/B≤1.035，比表面积为8～50m2/g。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||