发明名称 具有快擦写类存储器芯体的电可擦可编程只读存储器阵列
摘要 一种区段可编程EEPROM存储器,它结合芯片上写高速缓冲存储器(83)用作缓冲器。EEPROM主存储芯体划分为存储页面(32),每个存储页面进一步划分为子页面区段(59-62),每个子页面区段保持大批多字节数据字。存储页面内的子页面区段可以单独或一起进行编程和擦除周期。该EEPROM存储器结合ECC部件(73)用来恢复和刷新存储芯体中丢失的数据。EEPROM存储器还能中断载入周期。
申请公布号 CN100483548C 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN03106039.0 申请日期 1996.02.22
申请人 爱特梅尔公司 发明人 乔治·斯马杜;埃米尔·兰布朗克
分类号 G11C14/00(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C14/00(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 孟 锐
主权项 1. 一种电可擦可编程只读存储器,包括:主存储芯体,它包括排列成行与列矩阵的多个存储单元,所述存储单元进一步分为多个存储单位,每个存储单位包括一多字节数据字部分和一奇偶位部分;供存取存储单位之多字节数据字部分的数据总线;供存取存储单位之奇偶位部分的奇偶性总线,其特征在于,所述电可擦可编程只读存储器还包括:有选择地锁存于所述数据总线和奇偶性总线用的主锁存器;误差校正控制ECC供接收来自所述主锁存器锁存于数据总线和奇偶性总线内容的部件,所述ECC部件有选择地产生不是对应于所述奇偶位部分的经校正过的数据字,就是对应于所述多字节数据字部分的一组新的奇偶位;有选择地将来自所述ECC部件的所述校正过的数据字发送到一组输入和输出引线的路径选择装置;输出装置,其耦合到所述数据总线的写高速缓冲存储器,所述写高速缓冲存储器有选择地接收来自所述ECC部件的已校正过的数据字。
地址 美国加利福尼亚州