| 发明名称 | 移除晶片上的颗粒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种移除晶片上的颗粒的方法，用于硅化金属工艺的移除未反应的金属层步骤之后或最终硅化物生成后尚有前层残留氧化物的晶片，也可用于去除化学气相沉积工艺之后引发颗粒的晶片。此方法包括进行至少两个阶段中间清洗程序，各阶段中间清洗程序包括先进行高速旋转晶片的步骤，再进行低速旋转晶片的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101419903A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200710167138.0 | 申请日期 | 2007.10.24 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈意维;黄宝增;刘安淇;谢朝景;何念葶;赖国智 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 魏晓刚;彭久云 |
| 主权项 | 1. 一种移除晶片上的颗粒的方法，用于硅化金属工艺的移除未反应的金属层步骤之后的晶片，包括：进行至少两个阶段中间清洗程序，各阶段中间清洗程序包括先进行高速旋转晶片的步骤，再进行低速旋转晶片的步骤。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||