| 发明名称 | 电子发射器件及其制造方法、电子源、图像显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电子发射器件及其制造方法、电子源、图像显示装置。电子发射器件的制造方法包括如下步骤：预先制备配有绝缘或半导电层的基底；和使该层暴露在包含含氢中性原子团的气氛中。优选地，绝缘或半导电层包含金属粒子；绝缘或半导电层是包含碳作为主要成分的膜；含氢中性原子团包含H·、CH<sub>3</sub>·、C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>·和C<sub>2</sub>H·的任何一种或它们的混合气体；与气氛中带电粒子的密度相比，气氛中含氢中性原子团的密度为1,000倍以上；以及使绝缘或半导电层暴露在气氛中的步骤是利用配有偏置栅格的等离子体装置进行氢终止的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101419889A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200810175012.2 | 申请日期 | 2008.10.24 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 寺本洋二;藤原良治;西村三千代;野村和司;村上俊介 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;H01J1/30(2006.01)I;H01J1/316(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1. 一种电子发射器件的制造方法，包含如下步骤：预先制备配有绝缘或半导电层的基底；和使该层暴露在包含含氢中性原子团的气氛中。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||