发明名称 横向电场型有源矩阵寻址液晶显示装置
摘要 一种横向电场型有源矩阵寻址液晶显示装置,其采用简单结构,抑制了漏极总线与对应其的公共总线之间的耦合电容(即,寄生电容)引起的横向串扰。在每个像素电极中,至少一个电隔离遮光电极形成为沿在相同漏极总线附近限定像素电极的漏极总线延伸。该遮光电极与对应于像素区域的像素电极的对应的一个的一部分重叠,使绝缘膜介于遮光电极和该部分之间,该部分沿在其附近的漏极总线延伸。在像素区域的某一点中,该遮光电极电连接到像素电极对应的一个。
申请公布号 CN101419368A 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN200810172904.7 申请日期 2008.10.23
申请人 NEC液晶技术株式会社 发明人 铃木照晃;西田真一
分类号 G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I 主分类号 G02F1/1343(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 王新华
主权项 1. 一种横向电场型有源矩阵寻址液晶显示装置,包括:第一基板,包括:栅极总线;与栅极总线平行的公共总线;和与栅极总线和公共总线交叉的漏极总线;第二基板,其保持以预定间隙与第一基板相对;在第一基板和第二基板之间设置的液晶层;像素区域,其由栅极总线和漏极总线限定以布置在矩阵阵列中;和每个像素区域包括:开关元件;电连接到开关元件的像素电极;和电连接公共总线的对应的一个的公共电极;其中:在每个像素区域中,至少一个遮光电极形成为沿漏极总线延伸,所述漏极总线限定在该漏极总线附近的像素电极;所述至少一个遮光电极被电隔离,并以这样的方式与对应于像素区域的像素电极的至少一部分重叠,所述方式使得绝缘膜介于至少一个遮光电极和所述至少一部分之间,其中:所述至少一部分沿漏极总线在其附近延伸;和限制在液晶层中的液晶分子在与第一基板近似平行的平面中旋转,从而显示图像。
地址 日本神奈川县