发明名称 |
在倒装多矩阵阵列封装中的模制化合物盖及其制作工艺 |
摘要 |
公开了一种模制化合物盖结构。还公开了一种形成所述模制化合物盖结构的工艺。同时还公开了使用所述模制化合物盖结构的微电子封装。也公开了装配微电子封装的方法。还公开了包括有该模制化合物盖结构的计算系统。所述模制化合物盖不可考暴露微电子设备的一部分的一种配置。 |
申请公布号 |
CN100483658C |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200480018629.3 |
申请日期 |
2004.06.23 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
V·莱波尼耶;R·哈瑞斯 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李 玲 |
主权项 |
1. 一种物品,包括:放置在安装基底上的第一管芯,其中所述第一管芯包括第一管芯有源第一表面以及第一管芯后部第二表面;以及邻接于所述第一管芯的模制化合物盖,它还包括出现在所述第一管芯有源第一表面之上并在第一管芯后部第二表面之下的第三表面,其中所述第三表面包括出现在所述第一管芯有源第一表面之上的弯月形面和平行于所述第一管芯有源第一表面的大致呈平面的表面。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |