发明名称 牺牲层腐蚀用的导电防腐
摘要 在一种实施方案中,微型器件是通过在金属电极上沉积牺牲层(步骤304),在牺牲层上成形可动结构(步骤306),然后用稀有气体氟化物腐蚀牺牲层(步骤308)而制成的。由于金属电极由金属材料构成,它同时又在对牺牲层的腐蚀中起防腐的作用,因此在金属电极中不会累积显著数量电荷。这有助于稳定可动结构的驱动特性。在一种实施方案中,可动结构是光调制器中的带状物。
申请公布号 CN100483610C 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN03820692.7 申请日期 2003.05.30
申请人 硅光机器公司 发明人 J·A·亨特
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I;H01L29/82(2006.01)I;H01L29/84(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘维升;段晓玲
主权项 1. 一种成形微型器件的方法,该方法包括:在第一金属电极上沉积牺牲层;在牺牲层上成形可动结构,该可动结构包含光调制器的带状物;以及用稀有气体氟化物腐蚀可动结构与第一金属电极之间的牺牲层,从而在第一金属电极和可动结构之间形成空气隙。
地址 美国加利福尼亚州