发明名称 抗静电有机硅离型涂覆膜
摘要 本发明涉及一种抗静电有机硅离型膜,其具有以抗静电有机硅离型组合物涂覆的层且用于半导体、电子和显示装置,同时解决了当普通离型膜与粘合剂或粘合剂层分离时产生的静电问题以及由这种引起严重产品缺陷的静电造成的污染问题。本发明还涉及一种抗静电有机硅离型膜,其可减少在将所述膜从粘合剂或粘合剂层剥离时由静电所导致的产品污染,并且由于在固化离型层时没有阻碍而获得基底与涂覆的层之间的紧密粘合,且也由此具有稳定的离型性能。
申请公布号 CN101421104A 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN200780013037.6 申请日期 2007.09.05
申请人 东丽世韩有限公司 发明人 尹宗郁;李政佑;李文馥;徐基奉;金相弼
分类号 B32B27/16(2006.01)I 主分类号 B32B27/16(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 宋 莉
主权项 1. 一种抗静电有机硅离型膜,其特征在于包括:聚酯膜;和在该聚酯膜的至少一侧上以抗静电有机硅离型组合物涂覆至少一次的层,其中该抗静电有机硅离型膜满足以下方程式1和2两者:SR≤12 (1),和SAS≥80 (2)其中“SR(欧姆/平方)”是所述涂覆的层的表面电阻,且“SAS(%)”是所述涂覆的层的残余粘附性。
地址 韩国庆尚北道