| 发明名称 | 多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气，其特征在于：将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热，加热后，液态氯硅烷变成气态氯硅烷，然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合，最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应；本方法通过产品汽化器将液态氯硅烷加热变成气态，非常方便输送到静态汽化器中进行混合，而且在静态汽化器中混合比较安全；同时，通过调节阀、不同的流量计来控制氢气和氯硅烷的流量，所以非常容易控制氯硅烷、氢气的混合比例，还可以将氢气和氯硅烷的比例准确控制，控制直观、简单，主控人员容易驾驭。 | ||
| 申请公布号 | CN101417802A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200810147642.9 | 申请日期 | 2008.11.24 |
| 申请人 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 发明人 | 戴自忠;易忠海 |
| 分类号 | C01B33/03(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/03(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 方 强 |
| 主权项 | 1、多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气，其特征在于：将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热，加热后，液态氯硅烷变成气态氯硅烷，然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合，最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应。 | ||
| 地址 | 614800四川省乐山市五通桥竹根镇新华村 | ||