半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明是“半导体装置以及其制造方法”。在本发明中，通过使用第一多级灰度光掩模的曝光形成第一抗蚀剂图案，然后对第一导电层、第一绝缘层、第一半导体层及第二半导体层进行蚀刻，来形成岛状单层及岛状叠层。在此，在岛状单层及岛状叠层的侧面形成侧壁。再者，通过使用第二多级灰度光掩模的曝光形成第二抗蚀剂图案，然后对第二导电层及第二半导体层进行蚀刻，来形成薄膜晶体管、像素电极、及连接端子。之后，通过以第一导电层和第二导电层的金属层为掩模的从背面的曝光形成第三抗蚀剂掩模，然后对第三绝缘层进行蚀刻，来形成保护绝缘层。

主权项

1. 一种半导体装置，包括：岛状叠层，该岛状叠层包括衬底上的第一导电层、所述第一导电层上的第一绝缘层、所述第一绝缘层上的第一半导体层、以及所述第一半导体层上的包含一种导电型杂质元素的第二半导体层；以及与所述岛状叠层的侧面接触的侧壁。