CMOS图像传感器装置及其形成方法

摘要

一种形成根据本发明实施例的CMOS图像传感器(CIS)的方法包括：在可以形成包括光电二极管的逻辑部件的半导体衬底上方顺序地形成第一光刻胶和阻挡层。可以通过在所形成的阻挡层的顶部上方涂覆第二光刻胶，图样化该第二光刻胶，以及然后使用被图样化的第二光刻胶作为掩模蚀刻阻挡层来形成微透镜阵列图样。可以通过使用微透镜阵列图样作为掩模实施各向同性蚀刻来图样化第一光刻胶。可以通过将具有折射率高于第一光刻胶的折射率的材料填入第一光刻胶中被图样化的部分来形成微透镜阵列。在通过使用各向同性蚀刻制造微透镜阵列来保持透镜的球形表面的同时，可以通过最大化填充系数来使CIS的灵敏度最优化。

主权项

1. 一种方法，包括：在形成逻辑部件的半导体衬底的上方顺序地形成第一光刻胶和阻挡层；通过在所述形成的阻挡层的顶部上方涂覆第二光刻胶，图样化所述第二光刻胶，以及然后使用所述被图样化的第二光刻胶作为掩模蚀刻所述阻挡层来形成微透镜阵列图样；通过使用所述微透镜阵列图样作为掩模实施各向同性蚀刻来图样化所述第一光刻胶；以及通过将具有折射率高于所述第一光刻胶的折射率的材料填入所述第一光刻胶中被图样化的部分来形成微透镜阵列。