制造第Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法

摘要

本发明涉及制造第III族氮化物基化合物半导体的方法。本发明的目的在于从GaN锭块切割的GaN衬底的表面上移除微划痕。本发明涉及一种用于实施GaN衬底的表面处理的方法，包括在含有三甲基镓、氨和氢的气氛中加热表面。优选地，三甲基镓的进料速率为150μmol/min以上，三甲基镓的进料速率与氨的进料速率之比(V/III)为1200～4000，加热温度为1000℃～1250℃。另外，表面处理的温度调节为高于后续形成的GaN生长温度，三甲基镓的进料速率小于生长时的进料速率。衬底上RMS粗糙度等于或小于1.3nm，可以获得台阶状况优异的衬底。

主权项

1. 一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体产品的方法，包括：在包含第III族元素源前体、氨和氢的气氛中，在加热中对其表面已被抛光的第III族氮化物基化合物半导体衬底实施表面处理，以使得所述半导体衬底的表面平滑化，和在经处理的表面上外延生长第III族氮化物基化合物半导体。