发明名称 |
带静电放电保护的RF晶体管 |
摘要 |
本发明提出的电子器件包括:RF晶体管(100),其设计用于基本RF频率,并与带有另一晶体管(200)的静电保护结构(250)集成为一体。晶体管适宜为MOS晶体管,有栅极、源极和漏极,其中源极耦合至接地的衬底区。另一晶体管的漏区耦合至RF晶体管(100)的栅极,在加入某一输入电压的条件下,在另一晶体管的漏区与接地的衬底区之间形成寄生二极管(300)。提供有滤波器(350),用于从寄生二极管(300)中滤去基本RF频率。 |
申请公布号 |
CN101421845A |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200780013318.1 |
申请日期 |
2007.04.11 |
申请人 |
NXP股份有限公司 |
发明人 |
约翰内斯·A·M·德波特;约瑟夫斯·H·B·范德赞登;彼得拉·C·A·哈梅斯 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1. 一种电子器件,包括:RF晶体管,设计用于基本RF频率,并与带有另一晶体管的静电保护结构集成为一体,每一晶体管包括:(1)半导体衬底栅极区上的栅极介电层,(2)栅极介电层的至少一部分上的栅极,以及(3)半导体衬底中邻近栅极的源区和漏区,其中源区耦合至接地的衬底区,其中,另一晶体管的漏区耦合至RF晶体管的栅极,在加入某一输入电压的条件下,在另一晶体管的漏区与接地的衬底区之间形成寄生二极管,以及提供有滤波器,用于从寄生二极管中滤去基本RF频率。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |