发明名称 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法
摘要 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法,它涉及一种硼化物基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料烧结温度及压力过高、烧结致密度低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料由硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂制成;添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末。本发明的方法如下:一、将硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂混合;二、再放入无水乙醇中进行超声波清洗分散,球磨混合,烘干;三、热压烧结后冷却即可。本发明在1800~1850℃、30MPa下烧结所获得低温烧结硼化物基陶瓷材料的组织均匀、致密,且晶粒度细小,同时力学性能优良,相对密度为96%以上,强度和韧性分别高达786MPa和7.12MPam<sup>1/2</sup>。本发明方法的工艺简单实用,成本低廉、易于推广。
申请公布号 CN101417880A 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN200810137597.9 申请日期 2008.11.21
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 张幸红;韩杰才;孟松鹤;徐林;韩文波;胡平
分类号 C04B35/58(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 韩末洙
主权项 1、低温烧结硼化物基陶瓷材料,其特征在于硼化物基陶瓷材料按体积百分比由60%~94%的硼化物粉末、5%~30%的碳化硅粉末和1%~10%的添加剂制成,其中添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末,氧化铝粉末和氧化钇粉末的摩尔比为5∶3。
地址 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号