| 发明名称 | 引线焊垫的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种引线焊垫的制造方法，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有第一介质层，在所述第一介质层中具有金属互连线；在所述金属互连线和第一介质层上具有第二介质层，在所述第二介质层中具有底部露出所述金属互连线的开口；用还原性气体的等离子体对所述开口底部的金属互连线进行表面处理，以去除所述金属互连线表面的氧化物；完成所述表面处理后，在所述开口中和第二介质层上形成金属层；图形化所述金属层，形成引线焊垫。本发明在去除铜互连线表面氧化铜的工艺中不会引起氧化铜或铜残渣的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101419923A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200710047512.3 | 申请日期 | 2007.10.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 聂佳相;杨瑞鹏 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种引线焊垫的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有第一介质层，在所述第一介质层中具有金属互连线；在所述金属互连线和第一介质层上具有第二介质层，在所述第二介质层中具有底部露出所述金属互连线的开口；用还原性气体的等离子体对所述开口底部的金属互连线进行表面处理，以去除所述金属互连线表面的氧化物；完成所述表面处理后，在所述开口中和第二介质层上形成金属层；图形化所述金属层，形成引线焊垫。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||