| 发明名称 | 用于CMOS工艺的金属栅极晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件(100)的方法，包括具有第一区域(104)的半导体衬底、在所述第一区域上形成栅极电介质(108)、在所述栅极电介质上形成导电金属氧化物(110)、在所述导电金属氧化物上形成抗氧化屏障层(111)和在所述抗氧化屏障层上形成覆盖层(116)。在一种实施方式中，所述导电金属氧化物是IrO<sub>2</sub>、MoO<sub>2</sub>和RuO<sub>2</sub>，而所述抗氧化屏障层包括TiN。 | ||
| 申请公布号 | CN100483687C | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200580041206.8 | 申请日期 | 2005.12.16 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 詹姆斯·K.·谢弗三世;奥路班密·O.·艾蒂图图 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜 娟 |
| 主权项 | 1. 一种用于形成半导体器件的方法，包括：制备半导体衬底，其中该半导体衬底具有第一区域；在所述第一区域上形成栅极电介质；在所述栅极电介质上形成导电金属氧化物；在所述导电金属氧化物上形成阻止形成连续绝缘氧化物层的抗氧化屏障层；和在所述抗氧化屏障层上形成覆盖层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||