使用自对准相变材料层的相变存储器元件及其制造和使用方法

摘要

本发明提供一种相变存储器元件及其形成方法。所述存储器元件包含支撑第一电极的衬底。绝缘材料元件位于所述第一电极上，且相变材料层形成于所述第一电极上，并且围绕所述绝缘材料元件，使得所述相变材料层具有与所述第一电极电连通的下表面。所述存储器元件还具有第二电极，其与所述相变材料层的上表面电连通。

主权项

1. 一种存储器元件，其包括：衬底，其支撑第一电极；绝缘材料元件，其位于所述第一电极上；相变材料层，其位于所述第一电极上且围绕所述绝缘材料元件，所述相变材料具有与所述第一电极电连通的下表面；以及第二电极，其与所述相变材料层的上表面电连通。