发明名称 立式等离子体处理装置及其使用方法
摘要 一种对多个被处理基板一起进行等离子体处理的半导体处理用的立式等离子体处理装置包括使处理气体的至少一部分等离子体化的激励机构。激励机构包括夹着等离子体发生区域相对地配置在等离子体生成箱上的第一和第二电极;和向所述第一和第二电极供给等离子体发生用的高频电力的高频电源,该高频电源包括第一和第二输出端子,第一和第二输出端子分别是接地和非接地端子。还配设切换机构,切换第一电极和第一输出端子连接并且第二电极和第二输出端子连接的第一状态以及第一电极和第二输出端子连接并且第二电极和第一输出端子连接的第二状态。
申请公布号 CN101413113A 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200810176992.8 申请日期 2008.10.17
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 野寺伸武;佐藤润;松永正信;长谷部一秀;井上久司
分类号 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人 龙 淳
主权项 1. 一种对多个被处理基板一起进行等离子体处理的半导体处理用的立式等离子体处理装置,其特征在于,包括:具有收纳所述被处理基板的处理区域并且能够设定气密状态的纵长的处理容器;在所述处理容器内按照互相间隔开并在垂直方向重叠的状态保持多个被处理基板的保持部件;向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统;对所述处理容器内进行排气的排气系统;和对所述处理气体的至少一部分进行等离子体化的激励机构,所述激励机构包括:对应所述处理区域安装在所述处理容器内并且形成与所述处理区域气密连通的等离子体发生区域的等离子体生成箱;夹着所述等离子体发生区域相对地配置在所述等离子体生成箱上的第一和第二电极;向所述第一和第二电极供给等离子体发生用的高频电力的高频电源,所述高频电源包括第一和第二输出端子,所述第一和第二输出端子分别是接地和非接地端子;与所述第一和第二电极以及第一和第二输出端子连接的第一和所述第二供电线;和切换机构,用于切换第一状态和第二状态,其中第一状态为所述第一电极和所述第一输出端子连接并且所述第二电极和所述第二输出端子连接,第二状态为所述第一电极和所述第二输出端子连接并且所述第二电极和所述第一输出端子连接。
地址 日本东京都