| 发明名称 | 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低680℃-760℃的情况，获得满意的欧姆接触特性。该技术的合金温度、合金时间有很大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。这些优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。 | ||
| 申请公布号 | CN100481346C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200410058035.7 | 申请日期 | 2004.08.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 魏珂;和致经;刘新宇;刘健;吴德馨 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;B32B15/01(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1. 一种用于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的欧姆接触系统，其特征在于，欧姆接触金属蒸发并形成五层结构的AlTiAlNiAu结构，与AlGaN组成金属半导体界面的欧姆接触金属是Al，合金温度的范围为680℃—760℃，合金时间在20---60S的范围内。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||