| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底中形成的槽、在槽的内壁上形成的栅极绝缘膜、在槽中形成的栅电极、以及沿着与半导体衬底的衬底表面实质上正交的方向排列的源极/漏极区域和LDD区域。 | ||
| 申请公布号 | CN100481505C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200610093015.2 | 申请日期 | 2006.06.02 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 山崎靖 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 孙纪泉 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：具有上表面的半导体衬底；在半导体衬底中形成的槽；在槽的内壁上形成的栅极绝缘膜；栅电极，具有在槽中的栅极绝缘膜上形成的第一部分以及从第一部分突出到高于半导体衬底的上表面的高度的第二部分；侧壁绝缘膜，用于覆盖栅电极的第二部分的侧面；外延层，形成在半导体衬底的上表面上，与侧壁绝缘膜相邻；以及其中，外延层包括上层和下层，上层包括源极/漏极区域，并且下层包括第一LDD区域。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||